Бесплатная библиотека - 1 338 003 изданий в библиотеке

Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002

Книга Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002

Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002.
  Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.

Бинарные соединения.
Свойства соединений, которые образуются из элементов III и V групп периодической таблицы (таких, как GaAs), очень похожи на свойства соединений группы IV. При переходе от элементов группы IV к соединениям III-V связь становится частично ионной вследствие переноса электронного заряда от атома группы III к атому группы V. Ионность приводит к важным изменениям в свойствах полупроводников. Она увеличивает кулоновское взаимодействие между ионами, а также энергию фундаментальной щели в электронной зонной структуре. Ионность увеличивается, и ее роль еще более возрастает в соединениях II—VI, таких как ZnS. В результате у большинства полупроводниковых соединений группы II—VI ширина запрещенной зоны больше 1 эВ. Исключение составляют соединения, содержащие тяжелый элемент — ртуть (Hg).
Теллурид ртути (HgTe) по сути является полупроводником с нулевой запрещенной зоной (или полуметаллом), подобно серому олову. В то время как полупроводниковые соединения II—VI с большой шириной запрещенной зоны могут найти потенциальное применение при создании дисплеев и лазеров, полупроводниковые соединения II-VI с более узкой запрещенной зоной необходимы для изготовления инфракрасных приемников. У соединений группы I-VII (CuCl) запрещенная зона может быть еще больше (> 3 эВ) вследствие их большей ионности. Многие из них считаются скорее изоляторами, чем полупроводниками.
Возрастание энергии сцепления кристалла вследствие кулоновского взаимодействия между ионами благоприятно для образования структуры каменной соли, содержащей атомы с шестикратной координацией, а не тетраэдрические связи. Двойные соединения, образующиеся из элементов групп IV и VI, такие как сульфид свинца (PbS), РbТе и сульфид олова (SnS), тоже являются полупроводниками. Большая ионность этих соединений также благоприятствует возникновению шестикратной координации. Несмотря на свою большую ионность, они, подобно халькогенидам ртути, имеют очень узкие запрещенные зоны. Узкозонные полупроводники IV-VI применяются в качестве приемников инфракрасного излучения, тогда как GaN, широкозонное соединение группы III-V, используется для светодиодов и лазеров, излучающих в голубой области спектра [1.1].

Рейтинг: 4.8 баллов / 2537 оценок
Формат: Книга
Уже скачали: 12822 раз

Похожие Книги

Нам показалось, что Книги ниже Вас заинтересуют не меньше. Эти издания Вы так же можете скачивать и читать совершенно бесплатно на сайте!

Вы не зарегистрированы!

Если вы хотите скачивать книги, журналы и аудиокниги бесплатно, без рекламы и без смс, оставлять комментарии и отзывы, учавствовать в различных интересных мероприятиях, получать скидки в книжных магазинах и многое другое, то Вам необходимо зарегистрироваться в нашей Электронной Библиотеке.

Войти Регистрация

Отзывы читателей

Ой!

К сожалению, в нашей Бесплатной Библиотеке пока нет отзывов о Книге Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002. Помогите нам и другим читателям окунуться в сюжет Книги и узнать Ваше мнение. Оставьте свой отзыв или обзор сейчас, это займет у Вас всего-лишь несколько минут.