Автор: Baliga B.J.
Название: Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Издательство: Springer
Год: 2008
Формат: PDF
Размер: 17 Мб
Язык: Английский
Страниц: 1085
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are developed. The treatment focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
Drawing upon years of practical experience and using numerous examples and illustrative applications, B. Jayant Baliga discusses: Numerical simulation examples to elucidate the operating physics and validate the models Device performance attributes that allow practicing engineers in the industry to develop products Treatment of all types of power rectifiers and transistors to create a comprehensive reference in the field Fundamentals of Power Semiconductor Devices will be of interest to practicing engineers in the power semiconductor device community and can also serve as an ideal textbook for teaching courses on power semiconductor devices due to the extensive analytical treatment provided for all device structures.
dfiles.ru
turbobit.net
Рейтинг: | 4.8 баллов / 2537 оценок |
Формат: | Книга |
Уже скачали: | 12811 раз |
Нам показалось, что Книги ниже Вас заинтересуют не меньше. Эти издания Вы так же можете скачивать и читать совершенно бесплатно на сайте!
Автор: Bucksam Kong, Eugene H. Ho Год издания: 1973 Формат: pdf Страниц: 224 Размер: 7,85 MB Язык: Английский Книга по одному из направлений кун . . .
Автор: Рожин Ф.В., Тонаканов О.С. Год издания: 1988 Формат: djvu Издат.: Московского университета Страниц: 160 Размер: 7,3 мб ISBN: 6-211-00627-6 Язык: . . .
Автор: Уайзмен Джон Год издания: 2002 Формат: pdf Издат.: Фаир-Пресс Страниц: 218 Размер: 15.6 Язык: Русский Как свести до минимума риск подв . . .
Автор: М.И. Абдулаев Год издания: 2004 Формат: pdf Страниц: 410 Размер: 2.8 Язык: Русский В учебнике в доступной форме рассматриваются основные в . . .
Автор: Н.П. Бочков Год издания: 2002 Формат: djvu Страниц: 450 Размер: 6,7 мб Язык: Русский В учебнике, написанном в соответствии с официальной п . . .
Автор: K.Conboy Формат: pdf Размер: 86,3 Язык: Английский Squadron Signal 6063 Книга посвящена гражданской войне в Лаосе в 1954-1975 гг. http:/ . . .
Автор: Автор не указан Год издания: 2002 Формат: pdf Издат.: Астрель Страниц: 251 Размер: 54.2 ISBN: 5-271-04485-8 Язык: Русский Как ухаж . . .
Автор: Голиков Ю.П. и др. (сост.)Название: И.П. Павлов: pro et contraИздательство: СПб.: Издательство Русского Христианского Гуманитарного ИнститутаГод: 1999Формат: PDFРазмер: 3.22 MbISBN: 5-88812-068 . . .
Автор: Gerard Henrotin Год издания: 1996 Формат: pdf Страниц: 96 Размер: 5,72 мб Язык: Русский . . .
Автор: Коллектив авторов Год издания: 1979 Формат: pdf Издат.: Наука Страниц: 387 Размер: 11,98 Мб Язык: Русский Монография является первой к . . .
Если вы хотите скачивать книги, журналы и аудиокниги бесплатно, без рекламы и без смс, оставлять комментарии и отзывы, учавствовать в различных интересных мероприятиях, получать скидки в книжных магазинах и многое другое, то Вам необходимо зарегистрироваться в нашей Электронной Библиотеке.
К сожалению, в нашей Бесплатной Библиотеке пока нет отзывов о Книге Fundamentals of Power Semiconductor Devices. Помогите нам и другим читателям окунуться в сюжет Книги и узнать Ваше мнение. Оставьте свой отзыв или обзор сейчас, это займет у Вас всего-лишь несколько минут.