Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса "Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы".
Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов.
Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.
Название: Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Автор: Колосницын B. C., Стешенко П. П., Шульгов В. В.
Издательство: Амалфея
Год: 2001
Страниц: 272
Формат: PDF
Размер: 8,83 МБ
ISBN: 985-441-210-5
Качество: Отличное

Содержание:
Предисловие
Глава 1. Основы физики полупроводников
   1.1. Классификация твердых тел в соответствии с зонной теорией
   1.2. Электроны и дырки в кристаллической решетке полупроводника. Основные и неосновные носители
   1.3. Собственные полупроводники
   1.4. Примесные полупроводники
   1.5. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Концентрация свободных носителей
   1.6. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми
   1.7. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках
   1.8. Энергетические диаграммы на контакте металл - полупроводник
   1.9. Выпрямляющие свойства контакта металл - полупроводник
   1.10. Требования к невыпрямляющим контактам
   1.11. Параметры невыпрямляюших контактов
Глава 2. Физические основы p-n-перехода
   2.1. Образование p-n-перехода
   2.2. Потенциальный барьер и контактная разность потенциалов
   2.3. Ширина обедненного слоя и барьерная емкость p-n-перехода
   2.4. P-n-перeход при нарушении равновесия
   2.5. Распределение концентрации неосновных носителей в базе
   2.6. Аналитические выражения для ВАХ p-n-переходов (диодов)
   2.7. Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ p-n -перехода
   2.8. Диффузионная емкость p-n-перехода
   2.9. Работа p-n-перехода при высоком уровне инжекции
   2.10. Физические эквивалентные и частотные свойства p-n-перехода (диода)
   2.11. Пробой p-n-перехода
   2.12. Переходные процессы в p-n-переходе
Глава 3. Полупроводниковые диоды
   3.1. Общие сведения
   3.2. Выпрямительные диоды
   3.3. Импульсные диоды
   3.4. Диоды СВЧ
   3.5. Стабилитроны
   3.6. Варикапы
   3.7. Диоды Шоттки
   3.8. Лавинно-пролетные диоды
   3.9. Типы конструкций полупроводниковых диодов
Глава 4. Биполярный транзистор
   4.1. Основные определения и классификация биполярных транзисторов
   4.2. Схемы включения и режимы работы БТ
   4.3. Распределение потоков носителей (токов) в БТ
   4.4. Усилительные свойства биполярного транзистора
   4.5. Пробой БТ
   4.6. Статические ВАХ биполярного транзистора
   4.6.1. Схема с ОБ
   4.6.2. Схема с ОЭ
   4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов
   4.8. Зависимость электрических параметров транзисторов от режима работы и температуры
   4.9. Типы структур биполярных транзисторов
Глава 5. Полевые транзисторы
   5.1. Общие сведения
   5.2. Канальные транзисторы (КТ)
      5.2.1. Простая теория МеП-транзистора
   5.3. МОП-транзисторы
      5.3.1. Идеальная МДП-структура
      5.3.2. Реальная МДП-структура
      5.3.3. Величина порогового напряжения и пути ее регулирования
      5.3.4. Статическая выходная ВАХ МОП-транзистора с индуцированным каналом
      5.3.5. Параметры МОП-транзистора
      5.3.6. Частотные характеристики МОП-транзистора
      5.3.7. Эффекты короткого канала
      5.3.8. Пробой МОП-транзистора
      5.3.9. МОП-транзистор со встроенным каналом
   5.4. Статические характеристики передачи полевых транзисторов
   5.5. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
Глава 6. Оптоэлектронные и фотоэлектрические приборы
   6.1. Светодиоды
   6.2. Полупроводниковый лазер
   6.3. Классификация фотоэлектрических приборов
   6.4. Фоторезисторы
   6.5. Фотодиоды
   6.6. Фототранзисторы
   6.7. Оптроны
Глава 7. Интегральные микросхемы
   7.1. Условные обозначения ИМС
   7.2. Термины и определения. Классификация микросхем
   7.3. Пленочные и гибридные интегральные микросхемы
      7.3.1.Основные требования к подложке
      7.3.2. Тонкопленочный резистор
      7.3.3. Материалы, используемые для толстопленочных резисторов
      7.3.4. Пленочные конденсаторы
      7.3.5. Пленочные индуктивности
      7.3.6. Пленочные проводники и контактные площадки (ПП и КП)
   7.4. Полупроводниковые интегральные микросхемы
      7.4.1. Элементы полупроводниковых ИМС
      7.4.2. Подложки полупроводниковых ИМС
      7.4.3. Биполярный транзистор
      7.4.4. Диоды интегральных микросхем
      7.4.5. Диод Шоттки
      7.4.6. Транзистор Шоттки
      7.4.7. Транзистор с инжекторным p-n-переходом
      7.4.8. Пассивные элементы полупроводниковых ИМС
      7.4.9. Резисторы полупроводниковых ИМС
      7.4.10. Конденсаторы полупроводниковых ИМС
      7.4.11. Изоляция элементов ИМС
      7.4.12. Изоляция элементов ИМС обратносмещенным p-n-переходом
      7.4.13. Изоляция обратносмещенным p-n-переходом, созданная методом разделительной диффузии
      7.4.14. Коллекторная изолирующая диффузия
      7.4.15. Базовая изолирующая диффузия
      7.4.16. Метод трех фотошаблонов
      7.4.17. Метод самоизоляции n-областью
      7.4.18. Диэлектрический способ изоляции
      7.4.19. Изоляция элементов ИМС тонкой пленкой диэлектрика
      7.4.20. Комбинированный способ изоляции
      7.4.21. Изопланар
      7.4.22. V-ATE (Технология вертикального анизотропного травления)
      7.4.23. Полипланар
      7.4.24. Транзистор на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
   7.5. Металлизация полупроводниковых ИМС
Глава 8. Корпуса интегральных микросхем
Литература